改善對策：

㈠ 加強(qiáng)去油去污處理，如果是超聲波清洗，應(yīng)重點考慮去油功能，并保證去油溶液的有效性；如若是手擦，可考慮先用碳酸鈣粉擦拭后再清擦。

㈡ 加強(qiáng)鍍前烘烤，條件許可，基片溫度能達(dá)到300℃以上更好，恒溫20分鐘以上，盡可能使基片表面的水汽、油汽揮發(fā)。注意：溫度較高，基片吸附能力加大，也容易吸附灰塵。所以，真空室的潔凈度要提高。否則基片在鍍前就有灰塵附著，除產(chǎn)生其它不良外，對膜強(qiáng)度也有影響。（真空中基片上水汽的化學(xué)解吸溫度在260℃以上）。但不是所有的零件都需要高溫烘烤，有的硝材溫度高了反而膜強(qiáng)度不高還會有色斑產(chǎn)生。這與應(yīng)力以及材料熱匹配有較大的關(guān)系。

㈢ 有條件時，機(jī)組安裝冷凝機(jī)（PLOYCOLD），除提高機(jī)組真空抽速外，還可以幫助基片水汽、油氣去除。

㈣ 提高蒸鍍真空度，對于1米以上的鍍膜機(jī)，蒸鍍啟動真空應(yīng)高于3*10-3Pa，鍍膜機(jī)越大，蒸鍍啟動真空更高。

㈤ 有條件時，機(jī)組安裝離子源，鍍前轟擊，清潔基片表面，鍍膜過程輔助，有利于膜層的密實牢固。

㈥ 膜料的去潮，將待用膜料用培養(yǎng)皿盛放在真空室干燥。

㈦ 保持工作環(huán)境的干燥（包括鏡片擦拭、上傘工作區(qū)），清潔工作環(huán)境時不能帶入過多的水汽。

㈧ 對于多層膜，在膜系設(shè)計時，就要考慮一層膜與基片的匹配，盡可能考慮用Al2O3膜料，該膜料對大部分基片有較好的吸附力。對于金屬膜，也可考慮一層鍍Cr或Cr合金。Cr或Cr合金對基片也有較好的吸附力。

㈨ 采取研磨液（拋光液）復(fù)新去除鏡片表面的腐蝕層（水解層）

㈩ 有時候適當(dāng)降低蒸發(fā)速率對膜強(qiáng)度的提高有幫助，對提高膜表面的光滑度有積極意義。

②膜層應(yīng)力：

薄膜的成膜過程，是一個物質(zhì)形態(tài)的轉(zhuǎn)變過程，不可避免地在成膜后的膜層中會有應(yīng)力存在，對于多層膜來說有不同膜料的組合，各膜層體現(xiàn)出的應(yīng)力是有所不同的，有的是張應(yīng)力、有的是壓應(yīng)力，還有膜層及基片的熱應(yīng)力。

應(yīng)力的存在對膜強(qiáng)度是有害的，輕者是膜層耐不住摩擦，重者，造成膜層的龜裂或網(wǎng)狀細(xì)道子。

對于減反膜，由于層數(shù)不多，應(yīng)力一般體現(xiàn)不明顯，（但有些硝材的鏡片即便是減反膜也有應(yīng)力問題存在。）而層數(shù)較多的高反膜、濾光膜，應(yīng)力是一個常見的不良因素，應(yīng)特別注意。

改善對策：

㈠ 鍍后烘烤，后一層膜鍍完后，烘烤不要馬上停止，延續(xù)10分鐘“回火”。讓膜層結(jié)構(gòu)趨于穩(wěn)定。

㈡ 降溫時間適當(dāng)延長，退火時效。減少由于真空室內(nèi)外溫差過大帶來的熱應(yīng)力。

㈢ 對高反膜、濾光膜等在蒸鍍過程中，基片溫度不宜過高，高溫易產(chǎn)生熱應(yīng)力。并且對氧化鈦、氧化鉭等膜料的光學(xué)穩(wěn)定性有負(fù)面作用。

㈢ 鍍膜過程離子輔助，減少應(yīng)力。

㈣ 選擇合適的膜系匹配，一層膜料與基片的匹配。（如五層減反膜采用Al2O3-ZrO2-Al2O3-Al2O3-ZrO2-MgF2；ZrO2也可以采用SV-5（一種ZrO2 TiO2混和膜料）或其他混合高折射率膜料。。

㈤ 適當(dāng)減小蒸發(fā)速率（Al2O3-2.5A/S;ZrO2-3A/S;MgF2-6A/S參考速率）

㈥ 對氧化物膜料全部充氧反應(yīng)鍍，根據(jù)不同膜料控制氧進(jìn)氣量。

③ 外層膜表面硬度：

減反膜一般外層選用MgF2，該膜層剖面是較松散的柱狀結(jié)構(gòu)，表面硬度不高，容易擦拭出道子。

改善對策：

㈠ 膜系設(shè)計允許時，外層加10nm左右的SiO2層，二氧化硅的表面光滑度優(yōu)于氟化鎂（但二氧化硅表面耐磨度、硬度不如氟化鎂）。鍍后離子轟擊幾分鐘，牢固度效果會更好。（但表面會變粗）

㈡ 鏡片出真空室后，放置在較干燥潔凈的地方，防治快速吸潮， 表面硬度降低。

④ 其它

造成膜強(qiáng)度不良的原因還有，真空度過低（在手動控制的機(jī)臺容易發(fā)生）、真空室臟、基片加熱不到位。

輔助氣體充入時，膜料也在放氣致使真空度降低，使分子自由程減少，膜層不牢。所以輔助氣體的充入要考慮膜料的放氣，鍍前對膜料充分預(yù)熔充分放氣，也可以避免由于蒸鍍中膜料放氣造成真空度過度下降，從而影響膜強(qiáng)度。

⑤ 脫膜

這里的脫膜雖然也是膜弱的一種，但與前述的脫膜有一些區(qū)別，主要特征為：點狀脫膜、邊緣脫膜、局部脫膜。

主要原因使膜內(nèi)有臟或污染物所造成的。

改善方法：提高基片的潔凈度。
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